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台湾铠柏科技AdNaNotek - 超高真空(UHV)专家 - adnanohome

UHV鍍膜技術如下：脈衝激光沉積(PLD)、分子束外延(MBE)、電子束沉積(E-Beam)、磁控濺鍍(Sputter)、蒸鍍機(Evaporator)、離子束沉積(IBD)、離子束輔助沉積(IBAD)、OLED Coating System 。

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台湾铠柏科技AdNaNotek - 超高真空(UHV)专家 - adnanohome | adnano-chs.weebly.com Reviews

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UHV鍍膜技術如下：脈衝激光沉積(PLD)、分子束外延(MBE)、電子束沉積(E-Beam)、磁控濺鍍(Sputter)、蒸鍍機(Evaporator)、離子束沉積(IBD)、離子束輔助沉積(IBAD)、OLED Coating System 。

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1 物理气相沉积(PVD) 脉冲激光沉积(PLD)、分子束外延(MBE)、电子束沉积(E-Beam)、磁控溅镀(Sputter)、蒸镀机(Evaporator)、离子束沉积(IBD)、离子束辅助沉积(IBAD)、OLED Coating System 。

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UHV鍍膜技術如下：脈衝激光沉積(PLD)、分子束外延(MBE)、電子束沉積(E-Beam)、磁控濺鍍(Sputter)、蒸鍍機(Evaporator)、離子束沉積(IBD)、離子束輔助沉積(IBAD)、OLED Coating System 。

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产品 - 台湾铠柏科技AdNaNotek - 超高真空(UHV)专家

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24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 28608;光加热系统. 21046;程技术. 25511;制软件. 24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 21046;程技术. 38112;柏科&#2...21363;&#203...

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IBSD - 20 - 台湾铠柏科技AdNaNotek - 超高真空(UHV)专家

http://adnano-chs.weebly.com/ibsd---20.html

24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 28608;光加热系统. 21046;程技术. 25511;制软件. 24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 21046;程技术. 36827;样室. 20026;使&...

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MBE - 9 - 台湾铠柏科技AdNaNotek - 超高真空(UHV)专家

http://adnano-chs.weebly.com/mbe---9.html

24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 28608;光加热系统. 21046;程技术. 25511;制软件. 24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 21046;程技术. 36827;样室. 21046;程&...

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电子束蒸发(E-Beam Evaporator) - 台湾铠柏科技AdNaNotek - 超高真空(UHV)专家

http://adnano-chs.weebly.com/3000523376264633397621457e-beam-evaporator.html

24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 28608;光加热系统. 21046;程技术. 25511;制软件. 24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 21046;程技术.

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CiGS研究成果 - 台湾铠柏科技AdNaNotek - 超高真空(UHV)专家

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開發與研究 - AdNaNotek

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24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 20998;子束&...28666;&#377...

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脈衝雷射沉積(PLD) - AdNaNotek

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24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 22320;址：.

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SPUTTER - 24 - AdNaNotek

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24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 36914;樣室. 28666;&#37709...

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電子束蒸發(E-Beam Evaporator) - AdNaNotek

http://www.dualsignal.com.tw/3865123376264633397630332e-beam-evaporator.html

24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 22320;址：.

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IBSD - 20 - AdNaNotek

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24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 36914;樣室. 38626;&#23376...

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薄膜沉積技術簡介 - AdNaNotek

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DU - EBEAM - AdNaNotek

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24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 2400l/s 冷泵. 25918;&#326...

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關於我們 - AdNaNotek

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Gallium Nitride研究成果 - AdNaNotek

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Mot de passe :. J'ai oublié mon mot de passe. Plus d'actions ▼. S'abonner à mon blog. Cheba Faiza 2013 - Nebghi Rajel Li Yahkem. Création : 20/03/2012 à 18:22. Mise à jour : 20/03/2012 à 18:22. Cheba Faiza 2013 - Nebghi Rajel Li Yahkem. Cet article remixé n'est plus disponible. Tu ne peux pas commenter cet article remixé. Posté le samedi 07 septembre 2013 09:28. Pour commenter cet article, va sur le blog de son auteur. Posté le jeudi 18 avril 2013 12:19. Posté le jeudi 18 avril 2013 12:19.

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Other Raccoon | یک راکون ِ دیگر

عقب جایی دارند عقرب ها. عقب جایی دارند عقرب ها. خمارخمره ها کرده به زهر ، داده به رگ. خوابیده بود زیر میز آینده. سیب ، حال گاز زدن داشت. چادر مسافرتی یک نفره ی ما هم ، تلمبه هم ، یک هم. یکم گیر کرده پشت عقرب. یکم هم خون ریزی داره. لخته هم می شه. بیادت که می افتم ، می خفتم زیر لحاف آینده. بع هانه می گیرم. اسمت رو خالکوبی کرده رو شکمم. گوش ت بده کار می شه. می ره زندان ، خالکوب هام میان. اسم منو رو شکمت دارکوبی می کنن. بیا بیا رو هم بیار. اصلن هست و نیست رو به هم بیار. در اون عقربه رو هم بزار. گیر کرده این ...

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06/06/2009 at 8:29 AM. 13/06/2009 at 8:21 AM. Subscribe to my blog! Flo rida and t- pain. Add this video to my blog. Don't forget that insults, racism, etc. are forbidden by Skyrock's 'General Terms of Use' and that you can be identified by your IP address (66.160.134.3) if someone makes a complaint. Please enter the sequence of characters in the field below. Posted on Wednesday, 10 June 2009 at 6:50 PM. Add this video to my blog. Please enter the sequence of characters in the field below. Don't forget t...

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Es una empresa fundada en el año 2014 por tres socios, en el seno de la Universidad Autónoma de Madrid, fruto de la colaboración en distintos proyectos de investigación. Está ubicada en el Parque Científico de Madrid. Situado en el Campus de Cantoblanco de la Universidad Autónoma. Su objeto es el desarrollo de aplicaciones de la nanotecnología. Para poder lograr la dispersión de nanofibras de grafeno.

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Blog de adnano2008 - A.S Le nouveau phenomene du RAP Algerien - Skyrock.com

Mot de passe :. J'ai oublié mon mot de passe. Plus d'actions ▼. S'abonner à mon blog. AS Le nouveau phenomene du RAP Algerien. Bienvenu chez oim, lachez vos com, comme si vous etiez chez vous! Grosse dedicasse a toute la generation hiphop, et a undergrand de oran! Création : 13/04/2008 à 09:35. Mise à jour : 21/10/2012 à 03:29. Ou poster avec :. Retape dans le champ ci-dessous la suite de chiffres et de lettres qui apparaissent dans le cadre ci-contre. Posté le dimanche 29 juillet 2012 09:17. Retape dans...