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第三代半导体材料及应用联合创新基地

2016年7月20日上午,第三代半导体材料及应用联合创新基地 以下简称 创新基地 建设启动仪式在中关村顺义园基地工地现场隆重举行。 第三代半导体国际论坛International Forum on Wide-band Gap Semiconductors China IFWS 2016 征 文 通 知日期 2016年11月15-. 2016年7月20日上午,第三代半导体材料及应用联合创新基地 以下简称 创新基地 建设启动仪式在中关村顺义园基地工地现场隆重举行。 中国半导体照明网译 亮锐 Lumileds 日前发布了第三代LUXEON .

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第三代半导体材料及应用联合创新基地 | asi-base.com Reviews
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2016年7月20日上午,第三代半导体材料及应用联合创新基地 以下简称 创新基地 建设启动仪式在中关村顺义园基地工地现场隆重举行。 第三代半导体国际论坛International Forum on Wide-band Gap Semiconductors China IFWS 2016 征 文 通 知日期 2016年11月15-. 2016年7月20日上午,第三代半导体材料及应用联合创新基地 以下简称 创新基地 建设启动仪式在中关村顺义园基地工地现场隆重举行。 中国半导体照明网译 亮锐 Lumileds 日前发布了第三代LUXEON .
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1 第三代半导体
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3 宽禁带半导体
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第三代半导体材料及应用联合创新基地 | asi-base.com Reviews

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2016年7月20日上午,第三代半导体材料及应用联合创新基地 以下简称 创新基地 建设启动仪式在中关村顺义园基地工地现场隆重举行。 第三代半导体国际论坛International Forum on Wide-band Gap Semiconductors China IFWS 2016 征 文 通 知日期 2016年11月15-. 2016年7月20日上午,第三代半导体材料及应用联合创新基地 以下简称 创新基地 建设启动仪式在中关村顺义园基地工地现场隆重举行。 中国半导体照明网译 亮锐 Lumileds 日前发布了第三代LUXEON .

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科技金融_第三代半导体材料及应用联合创新基地

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活动资讯_创业孵化_第三代半导体材料及应用联合创新基地

http://www.asi-base.com/incubator/list.php?catid=31

去年, 互联网 创业如火如荼 今年,高科技创业和内容创业也风生水起。 张海明凭借在中外经济技术合作方面做出的杰出贡献,荣获1995年中国政府颁发的首届 展望奖 、2005年国务院侨办颁发的华侨华人专业人士 杰出创业奖 ,并获得 苏州荣誉市民 称号。 目前,杭州加强小微企业创业创新基地的服务能力建设,运用互联网等信息化手段优化创业服务体系,初步形成了具有杭州特色的创新创业生态 深入实施 创新创业新天堂 行动,建立了市领导挂帅、区县 市 联动的工. 8月7日,财政部、国家发改委正式印发 专利收费减缴办法 以下简称 办法 ,明确继续减轻企业和个人专利申请和维护负担,对符合条件、存在经济困难的申请人或单位,实施专利申请费、年费等多项减缴优惠。 杭州高新区 在创新的 风口 顺势生长. 产业联盟作为行业上下游企业间结成的协作体,如何利用自身优势打造专业化更强的 精装版 众创空间 经济日报 记者. 未来如何 创 造 记一堂生动的创业公开课. 当 双创 之风拂过象牙塔,什么样的人才能脱颖而出 在校大学生该如何提高自身能力,紧扣时代脉搏 央企在 双创 时代扮演着什么角色 初创团队如何吸引风投.

3

研发创新_第三代半导体材料及应用联合创新基地

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4

资讯中心_第三代半导体材料及应用联合创新基地

http://www.asi-base.com/news

说好的大赛获奖项目采访 已经热腾腾的出炉啦 本期我们采访的选手是武汉恒泰通技术有限公司创始人肖海清,他的项目是 高速并行光引擎封装技术 ,该项目获得首届国际第三代半导体创新创业大赛企业组二等奖。 大赛播报 广东分赛区复赛在深圳激烈角逐, 9个项目脱颖而出. 大赛播报 广东分赛区复赛在深圳激烈角逐, 9个项目脱颖而出. 大赛播报 意大利分赛区: 中意国际交流, 科技创新国际化. 大赛播报 意大利分赛区: 中意国际交流, 科技创新国际化. 由美国国家科学基金 NSF 成立的照明系统研究与应用中心 LESA 成功研制了一个全集成的微芯片接收机,该接收机是全球首个具有高速率、零误差、可长距离传输特性的可见光传输链路。 0)window.location.href='./index.php? Page={destoon page}'.replace(/ {destoon page }/, Dd('destoon pageno').value);"/.

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创业孵化_第三代半导体材料及应用联合创新基地

http://www.asi-base.com/incubator

第三代半导体联合创新创业孵化中心 以下简称 中心 成立于2015年5月,主要围绕以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体器件和模块的技术应用,打造装备 材料 器件 模块 应用的完整产业链,孵化领域包括节能照明、第五代移动通信 5G 、电动汽车、智能电网、轨道交通、新能源、智能制造、雷达探测、消费类电子等产业。 中心目前依托第三代半导体产业技术创新战略联盟 以下简称 联盟 资源运作。 中心已获得的政府支持包括 获得2015年国家火炬计划项目立项 2015年11月被中关村管委会授予 中关村国家自主创新示范区特色产业孵化平台 称号。 4大公共技术服务平台分别为代尔夫特 中国 研究院公共研发平台、第三代半导体光电子应用工业设计创新服务平台、深紫外实验室和可见光实验室,可为科技型中小企业提供3D打印,激光打标机、小型钻铣床、示波器等硬件条件,建立 创意设计-模拟仿真-产品开发-样品制备-测试验证 完整的服务。

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第三代半导体国际论坛征文通知_第三代半导体产业技术创新战略联盟

http://www.casa-china.cn/a/news/announce/50.html

International Forum on Wide-band Gap Semiconductors China IFWS 2016. 郑有炓, 南京大学电子科学与工程学院教授, 中国科学院院士. 经过2015LED照明的市场起伏与行业洗牌,在进入“十三五“后的新经济、新动能环境下,LED产业又有哪些发展机遇 芯片与封装制造技术又有哪些最新进展 倒装LED芯片进入成熟期,它的性能优势与价格调整,不仅影响到芯片的市场趋势,更影响到封装、模组的技术走向,倒装芯片的广泛应用,推动了芯片级封装 CSP 以及大功率、高光密度FC-COB的的技术革命,改变了传统支架封装与高功率陶瓷封装的两头为大的格局。 近期GaN on Si 硅基LED获国家科技发明一等奖,再次成为行业热题,这又将如何改变芯片与封装应用的市场前景. LED芯片工艺、封装材料、荧光粉涂覆、透镜设计、晶圆级封装、基于高压交流驱动的集成光引擎 DOB 等上中游技术都将呈现出怎样的最新进展和发展趋势 上中游技术革新将在未来的产业格局变迁中发挥怎样的作用 敬请关注芯片、封装与模组技术的最新发展动向。 1) 口头报告 作者需准备论文与演示文件 PPT/PDF.

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电力电子器件产业发展蓝皮书(2016-2020年)_第三代半导体产业技术创新战略联盟

http://www.casa-china.cn/a/news/industry/298.html

电力电子器件产业发展蓝皮书 2016-2020年 2017-01-11 14:16. 三、 电力电子器件的市场分析及预测. 14. 近年来,“节能减排”、“开发绿色新能源”已成为我国长期发展的基本国策。 电力电子技术在实施 中国制造2025 规划中具有重大意义,它在多个领域发挥关键作用 例如,提高有关产业的关键核心技术的研发能力和创新能力,推进科技成果产业化;通过“互联网 ”推进信息化与工业化深度融合;加快发展智能制造设备和产品,推进制造过程的智慧化;增强工业基础能力和产业化;全面推行绿色制造,推进资源高效循环利用;深入推进制造业结构调整和企业技术改造等,为实施中国制造强国建设“三步走”的发展战略提供强大的技术支撑。 电力电子技术被称为是“节能的先锋”、“环保的卫士”,是节能减排的重要技术之一。 IGBT器件(包括大功率模块、智能功率模块)已经涵盖了300V 6.5kV的电压和2A 3600A的电流。 在SiC器件方面,国际上报道了10kV 15kV/10A 20A的SiC MOSFET、超过20kV的SiC功率二极管和SiC IGBT芯片样品。 其中,近期发展目标为 在硅基电力电子器件用8英寸高阻区熔...

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第三代半导体材料及应用联合创新基地建设正式启动_第三代半导体产业技术创新战略联盟

http://www.casa-china.cn/a/news/trends/107.html

2016年7月20日上午,第三代半导体材料及应用联合创新基地 以下简称“创新基地” 建设启动仪式在中关村顺义园基地工地现场隆重举行。

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关于联盟_第三代半导体产业技术创新战略联盟

http://www.casa-china.cn/a/casa

2015年9月9日,在国家科技部、工信部、北京市科委的支持下,由第三代半导体相关的科研机构、大专院校、龙头企业自愿发起筹建的“第三代半导体产业技术创新战略联盟” 以下简称“联盟” 在北京国际会议中心举行了成立大会。 我国政府也十分重视第三代半导体材料与及器件的研发与及产业化,在科技部等部委的持续部署支持下,我国材料研发的整体水平与国际上差距不大,半导体照明作为在第三代半导体的材料首个第一个产业化的应用方向方面——半导体照明已经在关键技术上实现突破,创新应用处于国际领先水平 此外,在第三代半导体电子器件应用方面,在移动通讯、光伏逆变、雷达等领域已有少量示范应用。

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关于召开LED在健康医疗领域技术及应用研讨会的通知_第三代半导体产业技术创新战略联盟

http://www.casa-china.cn/a/news/announce/200.html

1、会议时间 2016年10月18日9 00-16 30. 联系人 杜颖 电话 15201020717. 时间 2016年10月18日9 00-16 30. 上一篇 关于举办 首届CASA第三代半导体卓越青年评选 活动的通知. 下一篇 关于成立 第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会 的通知.

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抓住关键窗口期,抢占第三代半导体战略制高点 _第三代半导体产业技术创新战略联盟

http://www.casa-china.cn/a/news/trends/284.html

上一篇 首届 第三代半导体卓越创新青年 奖评选圆满落幕.

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2016年宽禁带半导体电力电子技术国际研讨会在西安召开_第三代半导体产业技术创新战略联盟

http://www.casa-china.cn/a/news/trends/47.html

5月21日至22日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟 以下简称“CASA” 、西安交通大学和中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟主办,西安电子科技大学、中国有色金属学会宽禁带半导体分会、中国电子学会电子材料分会、中国电工技术学会协办,西安交通大学电力系统电气绝缘国家重点实验室承办的2016年宽禁带半导体电力电子技术国际研讨会在西安交通大学圆满召开。 本次研讨会分为四个板块 宽禁带半导体电力电子技术应用 宽禁带半导体电力电子封装技术 宽禁带半导体电力电子器件 宽禁带半导体材料生长。

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全球半导体硅片产业发展现状与趋势_第三代半导体产业技术创新战略联盟

http://www.casa-china.cn/a/news/industry/290.html

由于全球3D NAND Flash扩产及大陆陆续投资投产的大量晶圆产能等原因,全球半导体硅片供应吃紧,三大半导体硅片厂均宣布将调涨2017年Q1的12英寸硅片价格10 20。 根据ICInsights的预测,IC制造厂的晶圆产能到2018年和2020年分别达到863万片和947万片 以12寸硅片折算 ,2015 2020年的复合年均增速为5 4。 2 三星、SK海力士、英特尔 美光、东芝等全力投入3D NAND扩产,3D NAND的投资热潮将刺激300mm大硅片的需求. 尽管2014年以来,全球硅片的市场开始复苏,但是硅片产业近年来仍是亏多赚少,各大硅片厂都无力进行扩产的动作,所以全球硅片的产量增长缓慢,根据SEMI的预测,未来三年的复合增速在2 3 左右,对应2017年和2018年300mm硅片的产能为525万片 月和540万片 月。 根据SUMCO的数据,2016下半年全球300mm硅片的需求已经达到520万片 月,2017年和2018年全球300mm硅片的需求分别为550万片 月和570万片 月,预计未来几年硅片的缺货将是常态。

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领导及专家寄语之闫傲霜_第三代半导体产业技术创新战略联盟

http://www.casa-china.cn/a/casa/wish/2016/0302/36.html

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领导及专家寄语之曹健林_第三代半导体产业技术创新战略联盟

http://www.casa-china.cn/a/casa/wish/2016/0302/35.html

Mdash;—“势”比人强与“事”在人为.

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