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グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発 最終成果報告会

産業技術総合研究所 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター(GNC)では、グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発の最終成果報告会を開催致します。

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グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発 最終成果報告会 | gnc-sympo.jp Reviews
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産業技術総合研究所 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター(GNC)では、グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発の最終成果報告会を開催致します。
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グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発 最終成果報告会 | gnc-sympo.jp Reviews

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産業技術総合研究所 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター(GNC)では、グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発の最終成果報告会を開催致します。

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グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発 最終成果報告会

http://www.gnc-sympo.jp/index.php

新材料 新構造 新動作原理 MOSFET. CNT グラフェンの合成と配線 排熱 デバイス応用. 手塚 勉、太田 裕之、佐藤 信太郎、二瓶 瑞久、畠 賢治、新谷 俊通、富永 淳二. 主催 独立行政法人 産業技術総合研究所 グリーン ナノエレクトロニクスセンター GNC. 後援 内閣府 独立行政法人 日本学術振興会 つくばイノベーションアリーナ ナノテクノロジー拠点運営最高会議.

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ポスター|グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発 2013年 成果報告会

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最先端研究開発支援プログラム採択課題 グリーン ナノエレクトロニクスのコア技術開発 最終成果報告会. 2013年12月17日 火 10:00 18:00 イイノホール カンファレンスセンター東京都千代田区内幸町2-1-1 飯野ビルディング 4F. InGaAs gate stack with low interface state density. Gate dielectrics for InGaAs channel using ALD process. Charge injection mechanism at vertically stacked graphene-based heterostructures. 主催 独立行政法人 産業技術総合研究所 グリーン ナノエレクトロニクスセンター GNC. 後援 内閣府 独立行政法人 日本学術振興会 つくばイノベーションアリーナ ナノテクノロジー拠点運営最高会議.

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概要・案内図|グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発 最終成果報告会

http://www.gnc-sympo.jp/about.php

最先端研究開発支援プログラム採択課題 グリーン ナノエレクトロニクスのコア技術開発 最終成果報告会. 2013年12月17日 火 10:00 18:00 イイノホール カンファレンスセンター東京都千代田区内幸町2-1-1 飯野ビルディング 4F. 2013年12月17日 火 10:00 18:00. Http:/ www.iino.co.jp/hall/. 霞ケ関 駅 C3出口 徒歩1分. 丸ノ内線 霞ケ関 駅 B2出口 徒歩5分). 虎ノ門 駅 9番出口 徒歩3分. 内幸町 駅 A7出口 徒歩3分. JR 山手線 京浜東北線 東海道線 横須賀線. ポスターセッションと意見交換会は同じく4階 Room A にて行います。 主催 独立行政法人 産業技術総合研究所 グリーン ナノエレクトロニクスセンター GNC. 後援 内閣府 独立行政法人 日本学術振興会 つくばイノベーションアリーナ ナノテクノロジー拠点運営最高会議.

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プログラム|グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発 最終成果報告会

http://www.gnc-sympo.jp/program.php

最先端研究開発支援プログラム採択課題 グリーン ナノエレクトロニクスのコア技術開発 最終成果報告会. 2013年12月17日 火 10:00 18:00 イイノホール カンファレンスセンター東京都千代田区内幸町2-1-1 飯野ビルディング 4F. 座長 AIST 研究支援統括 岩田 普. セッション 2 低電圧動作CMOS 報告. 座長 東京工業大学 教授 岩井 洋. セッション 3 ナノカーボン材料の開発と応用 報告. 座長 東京大学 教授 鳥海 明. セッション 4 バックエンドデバイス 相変化新材料開発 報告. 座長 AIST Paul Fons. 座長 中心研究者 横山 直樹. 主催 独立行政法人 産業技術総合研究所 グリーン ナノエレクトロニクスセンター GNC. 後援 内閣府 独立行政法人 日本学術振興会 つくばイノベーションアリーナ ナノテクノロジー拠点運営最高会議.

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講演者紹介|グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発 2013年 成果報告会

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最先端研究開発支援プログラム採択課題 グリーン ナノエレクトロニクスのコア技術開発 最終成果報告会. 2013年12月17日 火 10:00 18:00 イイノホール カンファレンスセンター東京都千代田区内幸町2-1-1 飯野ビルディング 4F. 中村 道治 なかむら みちはる. 1967年に東京大学大学院理学系研究科 物理 修士課程修了後、 株 日立製作所中央研究所に入所し、 族化合物半導体デバイスの研究開発に従事。 2011年 10月に 独 科学技術振興機構 理事長に就任し現在に至る。 西山 彰 にしやま あきら. 1998年 早稲田大学より博士 工学 学位取得. 現在、国立大学法人 東京工業大学大学院総合理工学研究科 連携教授、応用物理学会理事、同学会フェロー、IEEE EDSメンバー. 福間 雅夫 ふくま まさお. 1974年 慶應義塾大学大学院工学研究科計測工学専攻修士課程修了、日本電気 株 入社. 1999年 日本電気 株 中央研究所 シリコンシステム研究所長. 2001年 日本電気 株 中央研究所 支配人. 横山 直樹 よこやま なおき. 手塚 勉 てづか つとむ. 畠 賢治 はた けんじ.

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Collaborative Research Team Green Nanoelectronics Center

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A critical requirement on the road to prosperity as a global community is the reduction of the power use of information technology (IT) devices so as to ensure the smooth continued development of our information society. Specifically, a total of 30 researchers from Fujitsu, Toshiba, Hitachi, Renesas Electronics, and ULVAC have joined 20 of AIST's researchers, working side by side, to form the Collaborative Research team. Move to the "FIRST SCIENCE FORUM" external website. Available only in Japanese.

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過去のトピックス − 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

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Http:/ www.gnc-sympo.jp/ GNC最終成果報告会へ. 2013年3月13日 水 10:00 18:00. Http:/ www.gnc-sympo.jp/2013/ GNC成果報告会へ. 9月25-27日に京都で行われるSSDM (International Conference on Solid State Devices and Materials) 2012において、GNCの中払周(なかはらい しゅう)研究員が投稿した下記の論文が、注目論文に選ばれました。 Room Temperature On-Off Operation of Current in He Ion Irradiated Graphene. SNakaharai, T.Iijima, S.Ogawa, S.Suzuki, H.Miyazaki, S.Li, K.Tsukagoshi, S.Sato and N.Yokoyama. SSDM 2012 [ http:/ www.ssdm.jp/. 日時 2012年3月14日 水 10:00 18:00. 場所 日本科学未来館 7階 みらいCANホール.

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連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター

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研究テーマは、LSIの消費電力を桁違いに低減するために、 1 低電圧動作CMOS技術の開発、 2 ナノカーボン材料の開発と応用、 3 バックエンドデバイス 配線層に埋め込む新材料不揮発性デバイス の材料開発、を三本柱としています。 この研究提案が、世界最先端研究開発支援プログラムの一つに選ばれ、 つくばイノベーションアリーナ TIA-nano のナノエレクトロニクス拠点の一つのプロジェクトとして遂行しています。 GNCも利用している つくばイノベーションアリーナ TIA-nano では、7月19日に一橋講堂にて公開シンポジウムを開催しますのでご参加ください。 5月16-19日にニューヨークで行われる"The Seventh International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation (INC7)"にて、横山体長がポスター講演を行います。

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新材料 新構造 新動作原理 MOSFET. CNT グラフェンの合成と配線 排熱 デバイス応用. 手塚 勉、太田 裕之、佐藤 信太郎、二瓶 瑞久、畠 賢治、新谷 俊通、富永 淳二. 主催 独立行政法人 産業技術総合研究所 グリーン ナノエレクトロニクスセンター GNC. 後援 内閣府 独立行政法人 日本学術振興会 つくばイノベーションアリーナ ナノテクノロジー拠点運営最高会議.

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