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Metal-Semiconductor Field Effect Transistor (MESFETs). Figure 3.6.1 : Structure of a MESFET with gate length, L, and channel thickness, d. The use of GaAs rather than silicon MESFETs provides two more significant advantages: first, the electron mobility at room temperature is more than 5 times larger, while the peak electron velocity is about twice that of silicon. Second, it is possible to fabricate semi-insulating (SI) GaAs substrates, which eliminates the problem of absorbing microwave power in th...

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Metal-Semiconductor Field Effect Transistor (MESFETs). Figure 3.6.1 : Structure of a MESFET with gate length, L, and channel thickness, d. The use of GaAs rather than silicon MESFETs provides two more significant advantages: first, the electron mobility at room temperature is more than 5 times larger, while the peak electron velocity is about twice that of silicon. Second, it is possible to fabricate semi-insulating (SI) GaAs substrates, which eliminates the problem of absorbing microwave power in th...

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1 nombre lenny ramirez

2 asignatura ees

3 no hay comentarios

4 metal semicond junctions

5 323 thermal equilibrium

6 power transistor

7 the voltage v

8 primary breakdown

9 background

10 technological challenges

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nombre lenny ramirez,asignatura ees,no hay comentarios,metal semicond junctions,323 thermal equilibrium,power transistor,the voltage v,primary breakdown,background,technological challenges,newly developed technology,circuitos integrados,parametros del fet

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EES | lennyramirez-ees.blogspot.com Reviews

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Metal-Semiconductor Field Effect Transistor (MESFETs). Figure 3.6.1 : Structure of a MESFET with gate length, L, and channel thickness, d. The use of GaAs rather than silicon MESFETs provides two more significant advantages: first, the electron mobility at room temperature is more than 5 times larger, while the peak electron velocity is about twice that of silicon. Second, it is possible to fabricate semi-insulating (SI) GaAs substrates, which eliminates the problem of absorbing microwave power in th...

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1

EES: Circuitos Integrados

http://lennyramirez-ees.blogspot.com/2010/03/circuitos-integrados.html

Circuito integrado, pequeño circuito electrónico utilizado para realizar una función electrónica específica, como la amplificación. Se combina por lo general con otros componentes para formar un sistema más complejo y se fabrica mediante la difusión de impurezas en silicio monocristalino, que sirve como material semiconductor, o mediante la soldadura del silicio con un haz de flujo de electrones. Fuente:http:/ www.terra.es/personal/lermon/cat/articles/evin0086.htm. Publicar un comentario en la entrada.

2

EES: CIRCUITOS INTEGRADOS ESPECIALES

http://lennyramirez-ees.blogspot.com/2010/03/circuitos-integrados-especiales.html

Hoy día, para cualquier tipo de circuito que necesitemos, es muy probable que podamos encontrar algún modelo de circuito integrado que realice la misma función o parte de ella. Así, ya hemos visto que podemos encontrar osciladores, multivibradores y reguladores de tensión, como el 723, que forman parte de la electrónica integrada. Oscilador lineal controlado por tensión construido con un ICL8038. ICL8038 conectado para que la distorsión sea mínima. Oscilador controlado por voltaje.

3

EES: Crean el primer transistor orgánico que imita el funcionamiento de las neuronas

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Crean el primer transistor orgánico que imita el funcionamiento de las neuronas. Consiste en la combinación de un transistor orgánico, basado en moléculas de pentaceno, con nanopartículas de oro. Un transistor es el elemento básico de un circuito electrónico. Se comporta como un interruptor (que transmite o no una señal), pero además puede ofrecer otras funcionalidades, como la amplificación de la misma. La gran innovación de este nuevo transistor, al que han bautizado como NOMFET (Nanoparticle O...Las n...

4

EES: TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

http://lennyramirez-ees.blogspot.com/2010/03/transistores-de-efecto-campo.html

TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO. Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. La figura muestra el croquis de un FET con canal N. Simbolos gráficos para un FET de canal N. Si el mat...

5

EES: Semiconductores: los ‘blue chips’ de la industria

http://lennyramirez-ees.blogspot.com/2010/03/semiconductores-los-blue-chips-de-la.html

Semiconductores: los ‘blue chips’ de la industria. Nada se mueve en este mundo globalizado sin ayuda de los transistores,diodos, osciladores,conmutadores y,sobre todo,de los microprocesadores… Sin la continua innovación de la industria de los semiconductores no existirían ordenadores, teléfonos móviles,reproductores de MP3, lavadoras,relojes,semáforos. En tensiones de más de 10.000 V y con temperaturas más altas que otros semiconductores. Esta tecnología. Publicar un comentario en la entrada. Fujitsu Dev...

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Das war das Zugspitz Dogtrekking 2015. Mit Hund unter Läufern. Bei vielen Marathon- und vor allem Ultramarathon-Veranstaltungen ist man mit Hund ein gern gesehener Gast. Landschaftlich reizvolle Läufe, die einen sagen auch Trailrunning dazu, und Läufe mit familiärem Charakter sind hervorragend für eine Gassrunde im XXL-Format geeignet! Sofern der Schnee sich einmal sehen lässt und bleibt, ist es Zeit für Ski oder Schlitten. Mangels nötiger Waghalsigkeit entscheide ich mich für den Schlitten, da dort ...

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Domingo, 9 de mayo de 2010. Samsung prepara un micro-obturador para cámaras de celular. La compañía coreana Samsung se encuentra desarrollando una pequeña pieza para las cámaras digitales integradas en teléfonos que puede revolucionar al mercado. Se trata de un obturador de tan sólo 2.2 mm de diámetro basado en tecnología MEMS (sistemas microelectromecánicos). Por el momento se desconoce cuánto costará el obturador y cuándo estará totalmente desarrollado. Supuestamente será más barato que los obturad...

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Lunes, 21 de junio de 2010. Solutions for testing MEMS devices at the wafer level. By FRANK-MICHAEL WERNER and JOSHUA M. PRESTON. Test goals by phase. Each of the three phases of the MEMS product development lifecycle has unique test goals and requirements with very different results. In the product R&D phase, proving the device works and that it can be manufactured. In this phase, wafer-level test enables early device characterization, which reduces development time and, of course, development costs...

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Metal-Semiconductor Field Effect Transistor (MESFETs). Figure 3.6.1 : Structure of a MESFET with gate length, L, and channel thickness, d. The use of GaAs rather than silicon MESFETs provides two more significant advantages: first, the electron mobility at room temperature is more than 5 times larger, while the peak electron velocity is about twice that of silicon. Second, it is possible to fabricate semi-insulating (SI) GaAs substrates, which eliminates the problem of absorbing microwave power in th...

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