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法国ANNEALSYS快速退火炉-快速热处理,快速退火炉,进口设备
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网 址 http:/ www.longsun.asia. 加工定制:是 ;品牌:ANNEALSYS ;型号:As-Zenith 100 ;别名:RTP快速退火炉 石墨烯cvd ;适用范围:RTP RTA ;炉膛最高温度:1250 ;基片尺寸:3英寸. 加工定制:是 ;品牌:ANNEALSYS ;型号:As-Master ;别名:快速热处理炉 ;工作温度:1500 ;基片尺寸:8英寸 ;应用:RTP,RTA. 加工定制:否 ;品牌:ANNEALSYS ;型号:As-Micro ;别名:快速热处理炉 ;工作温度:1250 ;升温速率:250 C/s ;基片尺寸:3英寸. 加工定制:是 ;品牌:ANNEALSYS ;型号:As-One ;别名:快速热处理炉 ;工作温度:1500. 加工定制:否 ;品牌:Annealsys ;型号:As-Master ;硅片尺寸:8英寸 ;工艺温度:1500. 法国Annealsys LPCVD 低压化学气相沉积设备 提供LC100单管和LC102双管2种配置的选择。 品牌:Annealsys ;加工定制:否 ;型号:050. 加工定制:是 ;品牌:法国Annealsys ;型...
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ALD设备-原子层沉积设备,ald设备
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网 址 http:/ www.longsun.asia. 可选腔室尺寸 100mm, 200mm 或 300mm. 联系人 包静 联系电话 010-82254950-200 传真 010-82254950-209.
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LPCVD低压化学气相沉积系统-掺杂光纤预制棒,lpcvd
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网 址 http:/ www.longsun.asia. 装满100到200片硅片时占地面积小 工艺均匀性极高 正常运行时间超过95% 使用的客户群大 专家专线服务 最大8”/200毫米 节省电力达到50%. 联系人 包静 联系电话 010-82254950-200 传真 010-82254950-209.
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CIGS薄膜太阳能电池设备-光伏玻璃幕墙生产,薄膜太阳能电池设备
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网 址 http:/ www.longsun.asia. 化学气相沉积 CVD / 等离子-增强化学气相沉积. 等离子刻蚀 (PE) / 反应离子刻蚀 (RIE). 退火 (FLA and RTP). 联系人 包静 联系电话 010-82254950-200 传真 010-82254950-209.
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快速退火炉/快速热处理-rtp快速退火,快速热处理
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网 址 http:/ www.longsun.asia. 100 mm) 和 6-inch (150 mm) 版本. 可处理4-inch 和 6-inch 硅片. 温度范围: 室温 至 1500°C. 真空范围: 常压 至 10-6 Torr. 联系人 包静 联系电话 010-82254950-200 传真 010-82254950-209.
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太阳能集热管镀膜设备-实验室真空镀膜机,csp太阳能集热管镀膜
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网 址 http:/ www.longsun.asia. Inline systems (FHR.Line.XXX). Cluster systems (FHR.Star.XXX). 等离子刻蚀 (PE) / 反应离子刻蚀 (RIE). 联系人 包静 联系电话 010-82254950-200 传真 010-82254950-209.
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美国Tystar LPCVD管式炉-LPCVD设备,管式炉/氧化炉,进口设备
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网 址 http:/ www.longsun.asia. 加工定制:是 ;品牌:annealsys ;型号:as-spray CVD ;主要用途:半导体器件提高性能 ;自动化程度:半自动 ;基片直径:2英寸. 品牌:TYSTAR ;加工定制:是 ;主要用途:半导体器件工艺. 品牌:TYSTAR ;加工定制:是 ;主要用途:半导体器件工艺. 品牌:TYSTAR ;加工定制:是 ;主要用途:半导体器件工艺. 联系人 包静 联系电话 010-82254950-200 传真 010-82254950-209.
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Flowlink 特气阀门-气路控制,阀门
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网 址 http:/ www.longsun.asia. 法国flowlink品牌 MVP 214 MM. 联系人 包静 联系电话 010-82254950-200 传真 010-82254950-209.
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Cambridge 原子层沉积设备-atomic layer deposition,ALD设备
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网 址 http:/ www.longsun.asia. 可选腔室尺寸 100mm, 200mm 或 300mm. 标准腔室温度 400 /350 /350. 联系人 包静 联系电话 010-82254950-200 传真 010-82254950-209.
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RTP快速退火炉-快速退火炉,Rapid Thermal Processing
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网 址 http:/ www.longsun.asia. 快速热处理 (RTA, RTO.). 样品尺寸:平方毫米 至 3-inch 直径. 可选 3-inch 基片托适用 2-inch 样品. 温度范围: 室温 至 1250°C. 2英寸硅片升温速率可达250°C/s, 3英寸基片可达200°C/s. 联系人 包静 联系电话 010-82254950-200 传真 010-82254950-209.