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株式会社 パウデック|ホーム|第64回応用物理学会春季学術講演会 にて、 サファイア基板上1200 V GaN分極超接合 PSJ ダイオード 、 サファイア基板上GaN分極超接合 PSJ FETを用いた1200 V/100 A級モジュール 、 サファイア基板上 GaN 分極超接合 PSJ 素子を用いた降圧コンバータ の3件を発表しました。 サファイア基板上1200 V GaN分極超接合 PSJ ダイオード にて、PosterAwardを受賞しました。 第63回応用物理学会春季学術講演会 にて、 カスコード接続したサファイア基板上GaN PSJ 分極超接合 トランジスタの1,000 Vスイッチング特性 を発表しました。 第63回応用物理学会春季学術講演会 にて、 大口径対向縦型MOCVD炉によるGaN/AlGaN/GaNへテロエピ成長 を発表しました。 Newsrelease] GaNパワートランジスタ、定格1,200V 級、超低コスト化に成功。
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