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サファイア基板 SiC 単結晶サファイア 単結晶シリコン サファイアウェハー シリコンウェハー 株式会社新陽｜トップページサファイア基板・GaN基板（窒化ガリウム基板）・SiC（エスアイシー）・単結晶サファイア・単結晶シリコン・サファイアウェハー・シリコンウェハーの素材供給及びこれらの精密加工を行なう株式会社新陽ウェブサイト
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SiC サファイア基板 単結晶サファイア 単結晶シリコン サファイアウェハー シリコンウェハー 株式会社新陽｜SiC -Silicon carbide-
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SiC 炭化ケイ素，シリコンカーバイド は、シリコンに比べてバンドギャップが約3倍 3.26eV 広く、熱伝導率も3倍以上 4.9W/cm k 、絶縁破壊電圧にいたりましては約10倍 2.8MV/cm という特性を持ち、Siと同じ10mΩ cm. であり、パワーMOSFET,IGBT，ショットキー バリア ダイオード SBD 等に適しております。 The band gap of SiC(Silicon carbide) is wider approximately 3 times (3.26eV) than silicon,. The thermal conductivity is more than 3 times, and the breakdown voltage has a characteristic of approximately 10 times (2.8MV/cm). When I lowered the on-resistance to 10mΩ cm. Same as Si, the withstand voltage of that reaches 1,200V.
サファイア基板 SiC 単結晶サファイア 単結晶シリコン サファイアウェハー シリコンウェハー 株式会社新陽｜GaN -Gallium nitride-
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GaN 窒化ガリウム、ガリウムナイトライド は、シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍 3.42eV 広く、絶縁破壊電圧も約10倍 3.0MV/cm という特性を持っており、Siと同じ10mΩ cm. The band gap of GaN (Gallium nitride) is wider approximately 3 times (3.42eV) than silicon,. The breakdown voltage has a characteristic of approximately 10 times (3.0MV/cm) in comparison with that. When I lowered the on-resistance to 10mΩ cm. Same as Si, the withstand voltage of that reaches 1,600V. And GaN (Gallium nitride) is expected as a power semiconductor device with SiC in the next generation.
サファイア基板 SiC 単結晶サファイア 単結晶シリコン サファイアウェハー シリコンウェハー 株式会社新陽｜サファイア Sapphire
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ウェハー を人工的に成長 単結晶化 させた結晶体です。 モース硬度9を持ち、石英以上の高融解点 2.053 と耐プラズマ特性、さらに光学的 化学的 電気的にも優れた特性を併せ持つサファイアは、LED用GaN 窒化ガリウム 成長基板を中心に、各種基板の他、大型単結晶サファイア(Max.φ370mm)を安価に量産出来る様になった事も有り、各種機構用部品にも幅広い用途が期待されております。 Sapphire is the crystal which let high purity Almina (Al. Wafer) make growth (single crystallization) artificially. It has a hardness of 9 (Mohs hardness), has a melting point of 2,053 C, and has Plasma properties-resistant. The main use is GaN (Gallium nitride) growth substrate for LED now. インゴット ウェハー Ingot Wafer.
サファイア基板 SiC 単結晶サファイア 単結晶シリコン サファイアウェハー シリコンウェハー 株式会社新陽｜会社案内
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サファイア基板、GaN基板 窒化ガリウム基板 、SiC 単結晶SiC 、サファイアウェハー、単結晶サファイア、単結晶シリコン、シリコンウェハーの素材供給と精密加工を行なっております。 We SINYO would like to contribute to the development of the scientific technique, by the advanced materials supply and development of the precision processing technology, and to society by the effective use of the by-product and the invention of the considerate processing for the environment. SINYO CO., LTD. 11-5 KARAHORI-CHO, TENNOUJI-KU, OSAKA 543-0012 / JAPAN. TEL 06-4304-1800 FAX 06-4304-1801.
サファイア基板 SiC 単結晶サファイア 単結晶シリコン サファイアウェハー シリコンウェハー 株式会社新陽｜その他製品 Other Products
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タングステン モリブデン Tungsten and Molybdenum. Tungsten and Molybdenum are widely used to produce the crucibles and other parts for crystal growth and rare-earth melting with its high temperature resistance , low pollution and other good characteristics . 石英ガラス 硬質ガラス製品 Quartz and Hard Glass. We can select the best material for our customer's request, and supply maximum quality products with minimum deliverydate and cost. Susceptor , Ring and Lens , etc . Bath , Boat , etc . Reaction tube , Big size chamber , etc .
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Senin, 06 Desember 2010. Lembaga Sertifikasi Profesi Telematika Indonesia 1. Lembaga Sertifikasi Profesi Telematika Indonesia 2. DAFTAR ISI . 2. KATA PENGANTAR. 10. BAB I Pengenalan Teknologi Informasi . 12. 11 Bisnis dan Zaman Informasi.13. 12 Pengertian Teknologi Informasi .15. 13 Perlunya Teknologi Informasi .16. 14 Sistem Informasi.16. 141 Sistem Informasi Berbasis Komputer . 17. 142 Infrastruktur Informasi . 18. 143 Arsitektur Informasi . 18. 144 Kemampuan Sistem Informasi . 18. SOAL LATIHAN . 25.
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サファイア基板 SiC 単結晶サファイア 単結晶シリコン サファイアウェハー シリコンウェハー 株式会社新陽｜トップページ
サファイア基板、GaN基板 窒化ガリウム基板 、SiC 単結晶SiC 、サファイアウェハー、単結晶サファイア、単結晶シリコン、シリコンウェハーの素材供給と精密加工を行なっております。 主要製品 [ Main Products ]. 8/12 水 8/16 日. 9/29(土 10/7(日 中秋節 国慶節. TEL 06-4304-1800 FAX 06-4304-1801. Φ2"GaN Wafer 試作成功 販売開始 2012年度 量産開始予定.
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Dunia saja tidak cukup. Just another Wordpress.com weblog. Mencari Model Bisnis Media di Era ICT. May 26, 2011. Mencari Model Bisnis Media di Era ICT. Dunia saja tidak cukup. Create a free website or blog at WordPress.com.
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