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EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的区别
http://xfjane.spaces.eepw.com.cn/articles/article/item/77910
EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。 EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。 EEPROM 可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。 市面上卖的stand alone 的EERPOM 一般都是在64KBIT 以下，而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上 NOR 型。 因为EEPROM的存储单元是两个管子而FLASH 是一个 SST的除外，类似于两管 ，所以CYCLING 的话，EEPROM比FLASH 要好一些，到1000K次也没有问题的。 Flash memory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品。
USB 基本知识
http://xfjane.spaces.eepw.com.cn/articles/article/item/77911
答案一 一条USB的传输线分别由地线、电源线、D 、D-四条线构成，D 和D-是差. 分输入线，它使用的是3.3V的电压 注意哦，与CMOS的5V电平不同 ，而电源线和. 传输设备就要进行位插入* *作 即在数据流中每连续6个1后就插入一个0 ，从而. 答案四 和其他的一样，USB数据是由二进制数字串构成的，首先数字串构成域 有七种 ，域再构成包，包再构成事务 IN、OUT、SETUP ，事务最后构成传输 中断传输、并行传输、批量传输和控制传输。 一 域 是USB数据最小的单位，由若干位组成 至于是多少位由具体的域决定 ，域可分为七个类型. 1、同步域 SYNC ，八位，值固定为0000 0001，用于本地时钟与输入同步. 2、标识域 PID ，由四位标识符 四位标识符反码构成，表明包的类型和格式，. 3、地址域 ADDR 七位地址，代表了设备在主机上的地址，地址000 0000被命名为零地址，是任何一个设备第一次连接到主机时，在被主机配置、枚举前的默认地址，由此可以知道为什么一个USB主机只能接127个设备的原因。 帧起始包的格式 SYNC PID 11位FRAM CRC5 五位的校验码. 答案五 如...
肖特基二极管和快恢复二极管的区别
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肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode ，具有正向压降低 0.4- 0.5V 、反向恢复时间很短 10-40纳秒 ，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 肖特基二极管 反向耐压值较低40V-50V，通态压降0.3-0.6V，小于10nS的反向恢复时间。 并且，MIS 金属 绝缘体 半导体 肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。 快恢复二极管 有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。 快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.
电容表示方法与识别方法
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1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容).电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件.电容的特性主要是隔直流通交流. 容抗XC=1/( 2πf c) f表示交流信号的频率,C表示电容容量 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等. 2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种.电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF).其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法. 字母表示法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF. 如:102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF. 允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%. 如:一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%.
xfjane的文章列表，栏目：FPGA
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FPGA常用术语 1 LCA(Logic Cell Array) 逻辑单元阵列，内部包括可配置逻辑模块CLB(Configurable Logic Block)、输出输入模块IOB(Input Output Block)和内部连线(Interconnect)三个部分。 2 IOB(Input Output Block) 可编程输入输出单元，为了便于管理和适应多种电器标准，FPGA的I.
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1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容).电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件.电容的特性主要是隔直流通交流. 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关. 容抗XC=1/( 2πf c) f表示交流信号的频率,C表示电容容量 电话机中常用电容的种类有. 电容分类介绍 名称:聚酯(涤纶)电容(CL) 符号: 电容量:40p- 4u 额定电压:63- 630V 主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差 应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路 名称:聚苯乙烯电容(CB) 符号: 电容量:10p- 1u 额定电压:100V- 30KV 主要特点:稳定,低损耗,体积较大 应用:对稳定性和损耗要求较. 肖特基二极管和快恢复二极管的区别 快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管 5us以下 ，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。 常用肖特基二极管参数 型号 制造商 封装 If/A.
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