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產品 - AdNaNotek

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24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 37799;柏科&...21363;&#203...

2

雙電子束沉積數據分析 - AdNaNotek

http://www.dualsignal.com.tw/38617386512337626463277853130925976258182099826512.html

24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 28858;了替&...

3

分子束磊晶(MBE) - AdNaNotek

http://www.dualsignal.com.tw/2099823376264633092226230mbe.html

24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 20998;子束&...

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薄膜沉積系統 - AdNaNotek

http://www.dualsignal.com.tw/341803318027785313093199532113.html

24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. IBSD - 32為&#2035...

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開發與研究 - AdNaNotek

http://www.dualsignal.com.tw/3828330332332873074031350.html

24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 24120;用蒸鍍材料與濺鍍速率參考表. 34180;膜沉積技術簡介. 33032;衝雷射沉積(PLD). 20998;子束磊晶(MBE). 30913;控濺射(Magnetron Sputtering). 38651;子束蒸發(E-Beam Evaporator). CiGS研究成果. 38617;電子束沉積數據分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉積系統. 25972;合型系統. 38647;射加熱系統. 25511;制軟體. 35069;程技術. 20998;子束&...28666;&#377...

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关于铠柏 - 台湾铠柏科技AdNaNotek - 超高真空(UHV)专家

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24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 28608;光加热系统. 21046;程技术. 25511;制软件. 24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 21046;程技术. 33609;创：. 24180;成&...

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PLD - 18 - 台湾铠柏科技AdNaNotek - 超高真空(UHV)专家

http://adnano-chs.weebly.com/pld---18.html

24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 28608;光加热系统. 21046;程技术. 25511;制软件. 24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 21046;程技术. 36827;样室. 31995;统&...

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双电子束沉积数据分析 - 台湾铠柏科技AdNaNotek - 超高真空(UHV)专家

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24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 28608;光加热系统. 21046;程技术. 25511;制软件. 24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 21046;程技术. 20026;了替&#2...

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常用蒸镀材料与溅镀速率参考表 - 台湾铠柏科技AdNaNotek - 超高真空(UHV)专家

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24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 28608;光加热系统. 21046;程技术. 25511;制软件. 24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 21046;程技术.

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分子束外延(MBE) - 台湾铠柏科技AdNaNotek - 超高真空(UHV)专家

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24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 28608;光加热系统. 21046;程技术. 25511;制软件. 24120;用蒸镀材料与溅镀速率参考表. 34180;膜沉积技术简介. 33033;冲激光沉积(PLD). 20998;子束外延(MBE). 30913;控溅射(Magnetron Sputtering). 30005;子束蒸发(E-Beam Evaporator). 25104;果分析. CiGS研究成果. 21452;电子束沉积数据分析. Gallium Nitride研究成果. 34180;膜沉积系统. 25972;合型系统. 21046;程技术. 20998;子束&#2...

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脉冲激光沉积(PLD) - 台湾铠柏科技AdNaNotek - 超高真空(UHV)专家

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PLD - 12 - 台湾铠柏科技AdNaNotek - 超高真空(UHV)专家

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薄膜沉积技术简介 - 台湾铠柏科技AdNaNotek - 超高真空(UHV)专家

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