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結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションを提供する STR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、シミュレーションソフトウェア・受託解析・技術コンサルティングを提供いたします。
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様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションを提供する STR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、シミュレーションソフトウェア・受託解析・技術コンサルティングを提供いたします。
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結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】 | str-soft.co.jp Reviews
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様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションを提供する STR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、シミュレーションソフトウェア・受託解析・技術コンサルティングを提供いたします。
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SimuLAMP｜STR Japan 株式会社
http://www.str-soft.co.jp/product/simulamp.html
Software for optical and thermal design and optimization of LED lamps. 201304.01 SimuLAMP 製品紹介ページを公開しました。 主に、LEDランプ LEDパッケージ 内で起こっている光学的 熱的 電気的な物理現象をシミュレーションする事が出来ます。 通常の光学設計ソフトウェアでは扱えなかったLEDランプの封止体や蛍光体 光変換 、電気回路 AC/DC 、ヒートシンク等を考慮したLED特有の問題をシミュレーションする事が出来ます。 LEDパッケージ表面 近視野 、及び遠方 遠視野 での発光パターン. 色温度 CCT 、演色指数 CRI 、色座標 視線位置、角度依存 、その他白色LEDの特性. その際、蛍光体の特性 密度 半径、内部量子効率、発光 吸収スペクトル 等を考慮し、詳細な光変換を計算します。 単一LEDチップ 例 青色LEDのみ だけではなく、赤 緑 青色等複数のLEDチップを考慮したLEDパッケージをシミュレーションする事が可能です。 SimuLED と SimuLAMP を併用したLED総合シミュレーション.
RATRO｜STR Japan 株式会社
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Ray-Tracing Simulator of Light Propagation. 201304.01 RATRO 製品紹介ページを公開しました。 光線追跡法 レイトレーシングモデル を用いて、n-, p-コンタクト層、基板中の光吸収 透過、及び界面における屈折を考慮して計算します。 LEDチップ構造はヘテロ構造 GaN コンタクト層、活性層 、基板 サファイア基板等 と電極 ITO電極等 から構成されます。 活性領域からの光の放射角分布は、 Lambert ランベルト の余弦則に従う Lambert 表面、またはユーザー指定で考慮する事が出来ます。 素子表面上における反射 屈折による分散角分布は Lambert の余弦則に従うと仮定しています。 GUI 計算条件設定、計算結果出力 Windows OS. 2GB RAM, Windows XP Professional 以上.
ユーザーサポート｜結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】
http://www.str-soft.co.jp/email/mail/support.html
Virtual Reactor - ユーザーサポートサイトへ.
イベント｜結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】
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応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第179回 研究集会. 日時 : 2016年 2月26日(金)13:00 - 18:00. 発表者 向山 裕次 STR Japan 株式会社. Https:/ annex.jsap.or.jp/silicon/shousai/dai190.htm. 日時 2016年 5月 9日(月)13:00 10日(火)16:45. 題名 数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対する補償効果の検討. 発表者 向山 裕次 STR Japan 株式会社. Http:/ www.jacg.jp/jacg/japanese/nanoepi/nanoepi 8/index.html. CSW2016 (The 2016 Compound Semiconductor Week). 日時 2016年 6月26日(日) 30日(木). ICCGE-18 (the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy). 日時 2016年 8月 7日(日) 12日(金). 日時 2016年 10月 19日...
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日本結晶成長学会HOMEPAGE
http://www.jacg.jp/jacg/japanese/top.html
A History and Activities of JACG -40 years- (英文). Yoshikazu Takeda (JACG President: 2010-2012). We want your kind suggestions. Please e-mail to office (jimukyoku. Thanking you in advance.
Hawaii 2016 - Index
http://hawaii2016.kir.jp/index.html
Hawaii 2016 - Index. November 21-25, 2016. August 22 (Mon.), 2016. August 27 (Sat.), 2016. September 14 (Wed.), 2016. Receipt of proceedings manuscript. September 14 (Wed.), 2016. The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials will be held under the auspices of The 145th Committee of The Japan Society for the Promotion of Science (JSPS). And received financial assistance from the following companies. Accommodation, Tour and Air Ticket.
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Wir sind ein junges innovatives Unternehmen mit Sitz in Wachtberg
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Сливен изпълнява цялостно строителство на сгради и строителни съоръжения строително-монтажни работи в жилищното, промишленото и гражданското строителство ; строителна и инвестиционна дейност; производство и монтаж на метални конструкции ; реконструкция и модернизация; текущо поддържане и ремонти; саниране на сгради; изграждане на инженерингова инфраструктура; строителни консултации. Инвеститори на изпълнени от нас обекти са били:. Powered by TeraByte - Computer Systems and Technologies.
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結晶成長やデバイスのシミュレーション【STRJapan株式会社】
様々な結晶成長やデバイスのシミュレーションを提供する STR (Semiconductor Technology Research) グループの日本現地法人である STR Japan 株式会社は、シミュレーションソフトウェア 受託解析 技術コンサルティングを提供いたします。 シリコン、窒化物 GaN, AlN 、SiC、III-V 族 GaAs, InP, GaP 、酸化物 Sapphire, CaF2, GGG, YAG)等. シリコン、窒化物 GaN, AlN, InGaN, AlGaN, AlInN 、SiC、III-V 族 GaAs, InP, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP 等. 光学デバイス LED, レーザー、太陽電池 、電子デバイス HEMT 等. Virtual Reactor ver7.5がリリースされました。 12/30 金 1/5 木 は、弊社冬季休暇となりますので、予めご了承下さい。 日時 2016年11月 8日(火) 9日(水). Https:/ annex.jsap.or.jp/adps/scrm/index.html.
STR Group - Modeling of crystal growth and devices
Modeling of Crystal Growth and Devices. 201504.29 STR Group has released the Crystal Growth Simulator CGSim 15.2. STR Group has released the Crystal Growth Simulator CGSim 15.2. A variety of new options is offered; in particular, chemical models for growth of SiC and GaN from solution have been recently implemented. New settings of the solver interface and graphical user interface provide users more flexibility. Solver stability is improved and a few minor bugs are fixed. STR Group has launched a new rel...
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